Продукція > ONSEMI > NTHS5402T1
NTHS5402T1

NTHS5402T1 onsemi

NTHS5402T1-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1402+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS5402T1 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V.

Інші пропозиції NTHS5402T1 за ціною від 23.01 грн до 23.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHS5402T1 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS5402T1 - NTHS5402T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1687+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1687
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5402T1 NTHS5402T1 Виробник : onsemi NTHS5402T1-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.