на замовлення 3549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.44 грн |
| 10+ | 90.17 грн |
| 100+ | 60.09 грн |
| 500+ | 49.61 грн |
| 1000+ | 40.45 грн |
| 3000+ | 37.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHS5404T1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції NTHS5404T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHS5404T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 8133 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NTHS5404T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
NTHS5404T1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |