Продукція > ON > NTHS5441T1G

NTHS5441T1G ON


nths5441t1-d.pdf Виробник: ON

на замовлення 6300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTHS5441T1G ON

Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V.

Інші пропозиції NTHS5441T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHS5441T1G Виробник : ON nths5441t1-d.pdf 08+ SOP
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G Виробник : ON nths5441t1-d.pdf SOT23-8
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G Виробник : ON Semiconductor nths5441t1-d.pdf
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G NTHS5441T1G Виробник : ON Semiconductor nths5441t1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G NTHS5441T1G Виробник : onsemi nths5441t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G NTHS5441T1G Виробник : onsemi nths5441t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G NTHS5441T1G Виробник : onsemi NTHS5441T1_D-2318935.pdf MOSFETs -20V -5.3A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.