Технічний опис NTHS5441T1G ON
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V.
Інші пропозиції NTHS5441T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTHS5441T1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTHS5441T1G | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTHS5441T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 884 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NTHS5441T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTHS5441T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTHS5441T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTHS5441T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |