Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHS5443T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHS5443T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTHS5443T1G | ON Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTHS5443T1G | ON Semiconductor |
MOSFET -20V -4.9A P-Channel |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTHS5443T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 568346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTHS5443T1G | ON(°ІЙГА) |
|
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTHS5443T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHS5443T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET -20V -4.9A P-Channel
MOSFET -20V -4.9A P-Channel
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTHS5443T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTHS5443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.056 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 568346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTHS5443T1G |
|
Виробник: ON(°ІЙГА)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)