Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTJD4001NT1G
NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G ON Semiconductor

ntjd4001n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4001NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 272mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTJD4001NT1G за ціною від 4.91 грн до 28.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.09 грн
9000+ 5.48 грн
24000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : onsemi ntjd4001n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.4 грн
6000+ 5.9 грн
9000+ 5.31 грн
30000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.58 грн
9000+ 5.92 грн
24000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.82 грн
9000+ 6.89 грн
24000+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ONSEMI 2160753.pdf Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.61 грн
500+ 10.17 грн
1000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
546+21.33 грн
902+ 12.91 грн
912+ 12.78 грн
975+ 11.53 грн
1458+ 7.13 грн
3000+ 5.97 грн
6000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 546
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : onsemi ntjd4001n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 59467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
16+ 17.71 грн
100+ 10.63 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ON Semiconductor ntjd4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.25 грн
29+ 19.96 грн
30+ 19.81 грн
100+ 11.56 грн
250+ 10.59 грн
500+ 9.51 грн
1000+ 6.36 грн
3000+ 5.54 грн
6000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : onsemi NTJD4001N_D-2318627.pdf MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel
на замовлення 89900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.26 грн
16+ 19.71 грн
100+ 9.5 грн
1000+ 6.51 грн
3000+ 5.71 грн
9000+ 5.51 грн
24000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.39 грн
35+ 21.39 грн
100+ 11.18 грн
500+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTJD4001NT1G
Код товару: 192092 		ntjd4001n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G Виробник : ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
товар відсутній