NTJD4001NT1G ON Semiconductor
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4001NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 272mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTJD4001NT1G за ціною від 4.35 грн до 36.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 9460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 47084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 250mA Dual N-Channel |
на замовлення 91324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 272mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G Код товару: 192092
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|



