Продукція > ONSEMI > NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G onsemi

ntjd4105c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4105CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 270mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTJD4105CT1G за ціною від 6.69 грн до 45.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G onsemi ntjd4105c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.94 грн
18+17.10 грн
100+10.77 грн
500+7.53 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G ON Semiconductor ntjd4105cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.47 грн
803+17.57 грн
812+17.40 грн
930+14.64 грн
1461+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G ON Semiconductor ntjd4105cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.91 грн
23+32.79 грн
25+32.47 грн
100+16.95 грн
250+15.53 грн
500+13.02 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G onsemi NTJD4105C-D.PDF MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 25091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G ONSEMI 665383.pdf Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G ONSEMI 665383.pdf Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ON-Semiconductor ntjd4105c-d.pdf Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
NTJD4105CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.94 грн
18+17.10 грн
100+10.77 грн
500+7.53 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ntjd4105cd.pdf
NTJD4105CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
435+32.47 грн
803+17.57 грн
812+17.40 грн
930+14.64 грн
1461+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ntjd4105cd.pdf
NTJD4105CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.91 грн
23+32.79 грн
25+32.47 грн
100+16.95 грн
250+15.53 грн
500+13.02 грн
1000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G NTJD4105C-D.PDF
NTJD4105CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 25091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G 665383.pdf
NTJD4105CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G 665383.pdf
NTJD4105CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.