NTJD4105CT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.60 грн |
| 6000+ | 7.83 грн |
| 9000+ | 7.41 грн |
| 15000+ | 6.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4105CT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 270mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTJD4105CT1G за ціною від 6.65 грн до 43.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJD4105CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4105CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4105CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4105CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 16658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4105CT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary |
на замовлення 39087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4105CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NTJD4105CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTJD4105CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTJD4105CT1G | Виробник : ONSEMI |
NTJD4105CT1G Multi channel transistors |
товару немає в наявності |