Продукція > ON > NTJD4105CT2

NTJD4105CT2 ON


ntjd4105c-d.pdf Виробник: ON
2005
на замовлення 242 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4105CT2 ON

Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 270mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції NTJD4105CT2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJD4105CT2 NTJD4105CT2 Виробник : onsemi ntjd4105c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.