NTJD4105CT2G ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4105CT2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 270mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTJD4105CT2G за ціною від 6.61 грн до 35.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJD4105CT2G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4105CT2G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary |
на замовлення 8510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4105CT2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4105CT2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4105CT2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-8V Drain current: 0.46/-0.558A Power dissipation: 0.14W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V; ±12V On-state resistance: 375/300mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTJD4105CT2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-8V Drain current: 0.46/-0.558A Power dissipation: 0.14W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V; ±12V On-state resistance: 375/300mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |