Продукція > ONSEMI > NTJD4105CT2G
NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G onsemi

ntjd4105c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4105CT2G onsemi

Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 270mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTJD4105CT2G за ціною від 7.67 грн до 29.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G ON Semiconductor ntjd4105c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.14 грн
9000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G ON Semiconductor ntjd4105c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G onsemi ntjd4105c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.25 грн
14+21.64 грн
100+12.98 грн
500+11.28 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G onsemi 00464A9D7EF1F4D797E9B0570977B388A6D65BED7AEEA1334CB36DEC33C2F08A.pdf MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G ONSEMI ONSM-S-A0013669928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G ONSEMI ONSM-S-A0013669928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
NTJD4105CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.14 грн
9000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
NTJD4105CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.15 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
NTJD4105CT2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.25 грн
14+21.64 грн
100+12.98 грн
500+11.28 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G 00464A9D7EF1F4D797E9B0570977B388A6D65BED7AEEA1334CB36DEC33C2F08A.pdf
NTJD4105CT2G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ONSM-S-A0013669928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD4105CT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ONSM-S-A0013669928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD4105CT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.