NTJD4152PT1G ON Semiconductor
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4152PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
Інші пропозиції NTJD4152PT1G за ціною від 6.71 грн до 41.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJD4152PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4152PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 38385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4152PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection |
на замовлення 272101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4152PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 880 mA, 0.215 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 880 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 272 Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.215 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|