Продукція > ONSEMI > NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G onsemi


ntjd4152p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.91 грн
6000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4152PT1G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції NTJD4152PT1G за ціною від 6.79 грн до 37.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G onsemi ntjd4152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 65346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.37 грн
100+10.92 грн
500+7.63 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G NTJD4152PT1G onsemi NTJD4152P_D-2318799.pdf MOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 27178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.41 грн
12+28.71 грн
100+13.92 грн
1000+9.49 грн
3000+8.30 грн
9000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 65346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.27 грн
18+17.37 грн
100+10.92 грн
500+7.63 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G NTJD4152P_D-2318799.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 27178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.41 грн
12+28.71 грн
100+13.92 грн
1000+9.49 грн
3000+8.30 грн
9000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.