NTJD4152PT2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.64 грн |
| 6000+ | 7.71 грн |
| 9000+ | 6.93 грн |
| 15000+ | 6.27 грн |
| 21000+ | 6.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4152PT2G onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції NTJD4152PT2G за ціною від 6.34 грн до 39.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTJD4152PT2G | onsemi |
MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4152PT2G | onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 272mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V |
на замовлення 22228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTJD4152PT2G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTJD4152PT2G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.89 грн |
| 14+ | 23.53 грн |
| 100+ | 10.61 грн |
| 1000+ | 7.99 грн |
| 3000+ | 6.89 грн |
| 9000+ | 6.54 грн |
| 24000+ | 6.34 грн |
| NTJD4152PT2G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 272mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 272mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
на замовлення 22228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.52 грн |
| 13+ | 23.28 грн |
| 100+ | 14.83 грн |
| 500+ | 10.47 грн |
| 1000+ | 9.36 грн |
| NTJD4152PT2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


