Продукція > ONSEMI > NTJD4152PT2G
NTJD4152PT2G

NTJD4152PT2G onsemi

ntjd4152p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.81 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4152PT2G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції NTJD4152PT2G за ціною від 5.33 грн до 33.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTJD4152PT2G NTJD4152PT2G onsemi ntjd4152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 35812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.67 грн
17+18.60 грн
50+13.42 грн
100+11.01 грн
500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G NTJD4152PT2G onsemi NTJD4152P-D.PDF MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 15962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+33.90 грн
21+14.94 грн
100+11.34 грн
500+8.48 грн
3000+6.31 грн
6000+5.71 грн
9000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G ntjd4152p-d.pdf
NTJD4152PT2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 35812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.67 грн
17+18.60 грн
50+13.42 грн
100+11.01 грн
500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT2G NTJD4152P-D.PDF
NTJD4152PT2G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 15962 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.90 грн
21+14.94 грн
100+11.34 грн
500+8.48 грн
3000+6.31 грн
6000+5.71 грн
9000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.