
NTJD4152PT2G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.85 грн |
6000+ | 7.90 грн |
9000+ | 7.10 грн |
15000+ | 6.43 грн |
21000+ | 6.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4152PT2G onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції NTJD4152PT2G за ціною від 6.75 грн до 40.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTJD4152PT2G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTJD4152PT2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 22228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTJD4152PT2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |