NTJD4158CT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.12 грн |
| 6000+ | 7.41 грн |
| 9000+ | 7.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD4158CT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 270mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTJD4158CT1G за ціною від 7.11 грн до 39.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJD4158CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4158CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4158CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4158CT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET 20V .88A 1OHM |
на замовлення 28908 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTJD4158CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 13408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJD4158CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G |
|
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
NTJD4158CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTJD4158CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTJD4158CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTJD4158CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTJD4158CT1G | Виробник : ONSEMI |
NTJD4158CT1G Multi channel transistors |
товару немає в наявності |