Продукція > ONSEMI > NTJD4401NT1G
NTJD4401NT1G

NTJD4401NT1G onsemi

ntjd4401n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.80 грн
17+18.40 грн
100+11.66 грн
500+8.18 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4401NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTJD4401NT1G за ціною від 5.12 грн до 32.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Виробник : ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.12 грн
42+19.74 грн
100+13.10 грн
500+9.58 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Виробник : onsemi NTJD4401N_D-2318915.pdf MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.76 грн
14+23.57 грн
100+9.20 грн
1000+6.88 грн
3000+6.04 грн
9000+5.48 грн
24000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Виробник : onsemi ntjd4401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.