Продукція > ONSEMI > NTJD4401NT1G
NTJD4401NT1G

NTJD4401NT1G onsemi

ntjd4401n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJD4401NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTJD4401NT1G за ціною від 5.04 грн до 32.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI NTJD4401N.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.46A
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
18+23.10 грн
22+18.95 грн
100+8.89 грн
500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G onsemi NTJD4401N_D-2318915.pdf MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.22 грн
14+23.18 грн
100+9.04 грн
1000+6.77 грн
3000+5.94 грн
9000+5.38 грн
24000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.54 грн
41+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.30 грн
100+12.18 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401N.PDF
NTJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.46A
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.32 грн
18+23.10 грн
22+18.95 грн
100+8.89 грн
500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401N_D-2318915.pdf
NTJD4401NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 19133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.22 грн
14+23.18 грн
100+9.04 грн
1000+6.77 грн
3000+5.94 грн
9000+5.38 грн
24000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G 2160754.pdf
NTJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+32.54 грн
41+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G ntjd4401n-d.pdf
NTJD4401NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.62 грн
16+19.30 грн
100+12.18 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.