
NTJD5121NT1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD5121NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 266mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 266mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTJD5121NT1G за ціною від 2.23 грн до 21.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 239683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 266mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 266mW Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 48653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 214863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
NTJD5121NT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NTJD5121NT1G Код товару: 185670
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|