Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

ntjd5121n-d.pdf
Код товару: 185670
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTJD5121NT1G за ціною від 3.39 грн до 23.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.92 грн
6000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI NTJD5121N_NVJD5121N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.67 грн
50+8.47 грн
100+5.27 грн
500+3.89 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 171134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.77 грн
28+11.89 грн
100+6.47 грн
500+5.42 грн
1000+4.92 грн
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 188838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.57 грн
26+11.96 грн
100+7.45 грн
500+5.15 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.91 грн
62+13.37 грн
100+8.37 грн
500+6.48 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.38 грн
56+14.69 грн
68+12.14 грн
100+8.91 грн
250+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ON-Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.92 грн
6000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G NTJD5121N_NVJD5121N.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.67 грн
50+8.47 грн
100+5.27 грн
500+3.89 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 171134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.77 грн
28+11.89 грн
100+6.47 грн
500+5.42 грн
1000+4.92 грн
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 188838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.57 грн
26+11.96 грн
100+7.45 грн
500+5.15 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.91 грн
62+13.37 грн
100+8.37 грн
500+6.48 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.38 грн
56+14.69 грн
68+12.14 грн
100+8.91 грн
250+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.