на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJS3151PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTJS3151PT1G за ціною від 7.94 грн до 40.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJS3151PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJS3151PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 12V 3.3A P-Channel |
на замовлення 23174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTJS3151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTJS3151PT1G | Виробник : ONSEMI |
NTJS3151PT1G SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
NTJS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTJS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTJS3151PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V |
товар відсутній |