Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G ON Semiconductor

ntjs3151p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJS3151PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTJS3151PT1G за ціною від 7.98 грн до 42.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : ONSEMI ntjs3151p-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.03 грн
500+13.30 грн
1500+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : onsemi ntjs3151p-d.pdf MOSFETs 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 15450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.95 грн
15+24.74 грн
100+13.45 грн
500+12.77 грн
1000+10.03 грн
3000+8.28 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : ONSEMI ntjs3151p-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.37 грн
50+23.62 грн
100+16.03 грн
500+13.30 грн
1500+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : onsemi ntjs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.75 грн
10+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G Виробник : onsemi ntjs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.