на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJS3157NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTJS3157NT1G за ціною від 6.52 грн до 33.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTJS3157NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTJS3157NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V |
на замовлення 13730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTJS3157NT1G | Виробник : onsemi | MOSFET 20V 4A N-Channel |
на замовлення 156664 шт: термін постачання 469-478 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTJS3157NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363 Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTJS3157NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTJS3157NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTJS3157NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363 Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |