Продукція > ONSEMI > NTJS3157NT1G
NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G onsemi

ntjs3157n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+8.61 грн
6000+7.95 грн
9000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJS3157NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції NTJS3157NT1G за ціною від 3.56 грн до 32.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.79 грн
41+10.52 грн
44+9.67 грн
100+6.36 грн
500+4.50 грн
1000+3.99 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G onsemi ntjs3157n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
13+23.90 грн
100+14.32 грн
500+12.44 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G onsemi NTJS3157N_D-2318680.pdf MOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 142274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.89 грн
13+25.78 грн
100+12.48 грн
1000+8.46 грн
3000+6.84 грн
9000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
36+12.79 грн
41+10.52 грн
44+9.67 грн
100+6.36 грн
500+4.50 грн
1000+3.99 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.72 грн
13+23.90 грн
100+14.32 грн
500+12.44 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157N_D-2318680.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 142274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.89 грн
13+25.78 грн
100+12.48 грн
1000+8.46 грн
3000+6.84 грн
9000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.