NTJS4151PT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.10 грн |
| 500+ | 11.41 грн |
| 1500+ | 9.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJS4151PT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTJS4151PT1G за ціною від 5.69 грн до 36.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -20V -4.2A P-Channel |
на замовлення 97457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
товару немає в наявності |