Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G ON Semiconductor

ntjs4151p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTJS4151PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTJS4151PT1G за ціною від 6.20 грн до 34.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.15 грн
6000+7.21 грн
9000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.73 грн
500+11.96 грн
1500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.32 грн
28+14.74 грн
50+11.80 грн
100+10.76 грн
117+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.78 грн
17+18.37 грн
50+14.16 грн
100+12.91 грн
117+9.66 грн
322+9.09 грн
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+26.81 грн
655+18.52 грн
661+18.33 грн
874+13.37 грн
1244+8.70 грн
3000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.87 грн
50+18.11 грн
100+13.73 грн
500+11.96 грн
1500+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 13816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.80 грн
17+19.21 грн
100+12.96 грн
500+9.44 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : onsemi NTJS4151P_D-2318568.pdf MOSFETs -20V -4.2A P-Channel
на замовлення 97457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.40 грн
17+21.29 грн
100+8.80 грн
1000+8.03 грн
3000+6.96 грн
9000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+34.13 грн
24+29.01 грн
25+28.72 грн
100+19.13 грн
250+17.54 грн
500+12.73 грн
1000+8.94 грн
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.