 
NTJS4405NT4G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 845843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2404+ | 9.91 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJS4405NT4G onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V. 
Інші пропозиції NTJS4405NT4G за ціною від 14.91 грн до 14.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTJS4405NT4G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 818462 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||
| NTJS4405NT4G | Виробник : ON |  0601NO | на замовлення 5145 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| NTJS4405NT4G | Виробник : ON |  09+ | на замовлення 98018 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
|   | NTJS4405NT4G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | товару немає в наявності |