NTJS4405NT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 845843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2404+ | 8.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJS4405NT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTJS4405NT4G за ціною від 9.99 грн до 9.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJS4405NT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 845819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| NTJS4405NT4G | Виробник : ON |
0601NO |
на замовлення 5145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| NTJS4405NT4G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 98018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
|
NTJS4405NT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
товар відсутній |