NTK3043NT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 2.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTK3043NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 255mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції NTK3043NT1G за ціною від 2.8 грн до 27.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTK3043NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 22194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTK3043NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
на замовлення 41237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTK3043NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET 20V 285mA TR |
на замовлення 398976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 22194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT723 Mounting: SMD Power dissipation: 0.44W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.185A On-state resistance: 3.4Ω кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT723 Mounting: SMD Power dissipation: 0.44W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.185A On-state resistance: 3.4Ω |
товар відсутній |