
NTK3043NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 285 mA, 3.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 3.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTK3043NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3043NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 255 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 255mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTK3043NT1G за ціною від 2.43 грн до 22.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 255mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723; ESD Case: SOT723 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.185A On-state resistance: 3.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.44W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Mounting: SMD |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 336412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723; ESD Case: SOT723 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.185A On-state resistance: 3.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.44W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V |
на замовлення 61329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3043NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |