Інші пропозиції NTK3139PT1G за ціною від 7.33 грн до 35.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTK3139PT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTK3139PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.57A Power dissipation: 0.45W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTK3139PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTK3139PT1G | onsemi |
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 |
на замовлення 98474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NTK3139PT1G | ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-723 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.01 грн |
| 8000+ | 8.32 грн |
| 12000+ | 8.20 грн |
| 28000+ | 7.81 грн |
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 18.92 грн |
| 37+ | 11.55 грн |
| 50+ | 9.24 грн |
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.19 грн |
| 15+ | 20.56 грн |
| 100+ | 13.04 грн |
| 500+ | 9.16 грн |
| 1000+ | 8.17 грн |
| 2000+ | 7.33 грн |
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
на замовлення 98474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-723 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-723 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.33 грн |