Інші пропозиції NTK3139PT1G за ціною від 4.53 грн до 32.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTK3139PT1G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTK3139PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 44298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTK3139PT1G | onsemi |
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 |
на замовлення 98474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTK3139PT1G | ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-723 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.65 грн |
| 8000+ | 5.83 грн |
| 12000+ | 5.54 грн |
| 20000+ | 4.89 грн |
| 28000+ | 4.71 грн |
| 40000+ | 4.53 грн |
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 44298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.07 грн |
| 16+ | 18.70 грн |
| 100+ | 11.82 грн |
| 500+ | 8.31 грн |
| 1000+ | 7.41 грн |
| 2000+ | 6.65 грн |
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
на замовлення 98474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.54 грн |
| 16+ | 19.93 грн |
| 100+ | 9.66 грн |
| 500+ | 8.28 грн |
| 1000+ | 7.32 грн |
| 2000+ | 6.56 грн |
| 4000+ | 4.90 грн |
| NTK3139PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-723 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 660 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 16, Rds = 480 мОм @ 780 мА, 4.5 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,31, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-723 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.33 грн |