
NTK3139PT1G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 5.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTK3139PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-723, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V.
Інші пропозиції NTK3139PT1G за ціною від 5.18 грн до 33.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 518363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 29577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTK3139PT1G Код товару: 172766
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.57A Power dissipation: 0.45W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTK3139PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.57A Power dissipation: 0.45W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |