Продукція > ONSEMI > NTK3139PT5G
NTK3139PT5G

NTK3139PT5G onsemi

ntk3139p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTK3139PT5G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V.

Інші пропозиції NTK3139PT5G за ціною від 2.62 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi NTK3139P-D.PDF MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
на замовлення 12278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.00 грн
29+10.93 грн
100+5.92 грн
500+4.34 грн
1000+3.44 грн
5000+3.17 грн
8000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi ntk3139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
15+20.07 грн
100+12.71 грн
500+8.93 грн
1000+7.53 грн
2000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139P-D.PDF
NTK3139PT5G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
на замовлення 12278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.00 грн
29+10.93 грн
100+5.92 грн
500+4.34 грн
1000+3.44 грн
5000+3.17 грн
8000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ntk3139p-d.pdf
NTK3139PT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.32 грн
15+20.07 грн
100+12.71 грн
500+8.93 грн
1000+7.53 грн
2000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.