Продукція > ONSEMI > NTK3139PT5G
NTK3139PT5G

NTK3139PT5G onsemi

ntk3139p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTK3139PT5G onsemi

Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 780mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTK3139PT5G за ціною від 7.21 грн до 33.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTK3139PT5G NTK3139PT5G ON Semiconductor ntk3139p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 4505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi ntk3139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.63 грн
15+20.26 грн
100+12.83 грн
500+9.01 грн
1000+7.60 грн
2000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G onsemi NTK3139P-D.PDF MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
на замовлення 12278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G ONSEMI ONSM-S-A0013669712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ntk3139p-d.pdf
NTK3139PT5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4505+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 4505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ntk3139p-d.pdf
NTK3139PT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-723
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.63 грн
15+20.26 грн
100+12.83 грн
500+9.01 грн
1000+7.60 грн
2000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139P-D.PDF
NTK3139PT5G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
на замовлення 12278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ONSM-S-A0013669712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTK3139PT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.