Продукція > ONSEMI > NTLJD2104PTAG
NTLJD2104PTAG

NTLJD2104PTAG onsemi


ntljd2104p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 16318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1158+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD2104PTAG onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).

Інші пропозиції NTLJD2104PTAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJD2104PTAG ntljd2104p-d.pdf
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD2104PTAG NTLJD2104PTAG Виробник : onsemi ntljd2104p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.