Продукція > ONSEMI > NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G

NTLJD3115PT1G onsemi

ntljd3115p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.18 грн
6000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD3115PT1G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 710mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).

Інші пропозиції NTLJD3115PT1G за ціною від 14.56 грн до 81.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G onsemi ntljd3115p-d.pdf MOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+57.98 грн
10+40.84 грн
100+23.95 грн
500+19.59 грн
1000+17.79 грн
3000+15.54 грн
9000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G onsemi ntljd3115p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.56 грн
10+49.03 грн
50+36.20 грн
100+30.08 грн
500+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G ntljd3115p-d.pdf
NTLJD3115PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.98 грн
10+40.84 грн
100+23.95 грн
500+19.59 грн
1000+17.79 грн
3000+15.54 грн
9000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G ntljd3115p-d.pdf
NTLJD3115PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.56 грн
10+49.03 грн
50+36.20 грн
100+30.08 грн
500+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.