Продукція > ONSEMI > NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G

NTLJD3115PT1G onsemi

ntljd3115p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD3115PT1G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 710mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).

Інші пропозиції NTLJD3115PT1G за ціною від 15.81 грн до 80.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G Виробник : onsemi ntljd3115p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.02 грн
10+44.67 грн
100+29.22 грн
500+21.19 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G Виробник : onsemi NTLJD3115P-D.PDF MOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.89 грн
10+49.75 грн
100+28.28 грн
500+21.90 грн
1000+19.84 грн
3000+17.11 грн
6000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljd3115p-d.pdf
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G Виробник : ON Semiconductor ntljd3115p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G Виробник : ONSEMI ntljd3115p-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; Idm: -20A; 2.3W
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.