Продукція > ONSEMI > NTLJD3119CTBG
NTLJD3119CTBG

NTLJD3119CTBG onsemi

ntljd3119c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.79 грн
6000+ 18.97 грн
9000+ 17.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD3119CTBG onsemi

Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung Pd: 2.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTLJD3119CTBG за ціною від 17.29 грн до 58.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.27 грн
6000+ 20.45 грн
15000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.68 грн
6000+ 20.83 грн
15000+ 20.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40 грн
16+ 36.85 грн
100+ 28.53 грн
500+ 24.13 грн
1000+ 19.15 грн
3000+ 17.58 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ONSEMI 2354277.pdf Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.07 грн
17+ 46.02 грн
100+ 35.11 грн
500+ 25.74 грн
1000+ 18.95 грн
3000+ 17.67 грн
6000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : onsemi ntljd3119c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.75 грн
10+ 45.64 грн
100+ 31.62 грн
500+ 24.79 грн
1000+ 21.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : onsemi NTLJD3119C_D-2318629.pdf MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
на замовлення 97400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.5 грн
10+ 46.56 грн
100+ 30.5 грн
500+ 25.51 грн
1000+ 21.71 грн
3000+ 18.85 грн
6000+ 17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTLJD3119CTBG Виробник : ONSEMI ntljd3119c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTLJD3119CTBG Виробник : ONSEMI ntljd3119c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній