Продукція > ONSEMI > NTLJD3119CTBG
NTLJD3119CTBG

NTLJD3119CTBG onsemi

ntljd3119c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.18 грн
6000+19.77 грн
9000+18.96 грн
15000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD3119CTBG onsemi

Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTLJD3119CTBG за ціною від 19.08 грн до 99.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.94 грн
6000+21.98 грн
15000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.12 грн
6000+24.90 грн
15000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.71 грн
16+44.87 грн
100+34.75 грн
500+29.39 грн
1000+23.32 грн
3000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : onsemi ntljd3119c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 23927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.15 грн
10+52.65 грн
100+34.70 грн
500+25.33 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : onsemi NTLJD3119C-D.PDF MOSFETs COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
на замовлення 30180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.88 грн
10+58.65 грн
100+33.67 грн
500+26.15 грн
1000+23.79 грн
3000+20.67 грн
6000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ONSEMI 2354277.pdf Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.76 грн
14+62.41 грн
100+41.18 грн
500+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG Виробник : ON Semiconductor ntljd3119c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG Виробник : ONSEMI ntljd3119c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
On-state resistance: 65/100mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.