Продукція > ONSEMI > NTLJD4116NT1G
NTLJD4116NT1G

NTLJD4116NT1G onsemi

ntljd4116n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.80 грн
6000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJD4116NT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 710mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2).

Інші пропозиції NTLJD4116NT1G за ціною від 19.89 грн до 60.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G Виробник : onsemi NTLJD4116N_D-2318703.pdf MOSFETs NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.11 грн
10+46.67 грн
100+29.72 грн
500+25.61 грн
1000+22.60 грн
3000+20.99 грн
6000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G Виробник : onsemi ntljd4116n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 9124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+50.07 грн
100+34.67 грн
500+27.19 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G ntljd4116n-d.pdf
на замовлення 28750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G Виробник : ON Semiconductor ntljd4116n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G Виробник : ONSEMI ntljd4116n-d.pdf NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.