NTLJF3117PT1G ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJF3117PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTLJF3117PT1G за ціною від 8.94 грн до 59.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLJF3117PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTLJF3117PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTLJF3117PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V |
на замовлення 75647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTLJF3117PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM |
на замовлення 9558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTLJF3117PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | Виробник : ON |
09+ SOP8 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | Виробник : ON |
QFN |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | Виробник : ON |
WDFN-6 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NTLJF3117PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTLJF3117PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTLJF3117PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -4.1A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET + Schottky Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.3W Case: WDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |