Продукція > ONSEMI > NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G onsemi

ntljf4156n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.24 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJF4156NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції NTLJF4156NT1G за ціною від 16.41 грн до 48.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G onsemi ntljf4156n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.40 грн
10+39.58 грн
100+27.56 грн
500+20.19 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G ONSEMI ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G ONSEMI ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ON Semiconductor ntljf4156n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ntljf4156n-d.pdf
NTLJF4156NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.40 грн
10+39.58 грн
100+27.56 грн
500+20.19 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTLJF4156NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTLJF4156NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ntljf4156n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.