NTLJF4156NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.47 грн |
| 6000+ | 15.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJF4156NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTLJF4156NT1G за ціною від 13.25 грн до 58.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLJF4156NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTLJF4156NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V |
на замовлення 12053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTLJF4156NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTLJF4156NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM |
на замовлення 7391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTLJF4156NT1G | Виробник : ONSEMI |
NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |