Продукція > ONSEMI > NTLJS17D0P03P8ZTAG
NTLJS17D0P03P8ZTAG

NTLJS17D0P03P8ZTAG onsemi

ntljs17d0p03p8z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS17D0P03P8ZTAG onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTLJS17D0P03P8ZTAG за ціною від 18.93 грн до 72.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTLJS17D0P03P8ZTAG NTLJS17D0P03P8ZTAG onsemi ntljs17d0p03p8z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.95 грн
10+44.06 грн
100+28.83 грн
500+20.91 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ON Semiconductor ntljs17d0p03p8z-d.pdf
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ntljs17d0p03p8z-d.pdf
NTLJS17D0P03P8ZTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.95 грн
10+44.06 грн
100+28.83 грн
500+20.91 грн
1000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ntljs17d0p03p8z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.