Продукція > ONSEMI > NTLJS17D0P03P8ZTAG
NTLJS17D0P03P8ZTAG

NTLJS17D0P03P8ZTAG onsemi

ntljs17d0p03p8z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS17D0P03P8ZTAG onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTLJS17D0P03P8ZTAG за ціною від 13.67 грн до 72.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJS17D0P03P8ZTAG NTLJS17D0P03P8ZTAG Виробник : onsemi ntljs17d0p03p8z-d.pdf MOSFETs PT8 30V WDFN POWER CLIP
на замовлення 12205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.46 грн
10+42.50 грн
100+25.17 грн
500+20.29 грн
1000+17.99 грн
3000+14.08 грн
6000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG NTLJS17D0P03P8ZTAG Виробник : onsemi ntljs17d0p03p8z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 5086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.16 грн
10+43.58 грн
100+28.52 грн
500+20.69 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG Виробник : ON Semiconductor ntljs17d0p03p8z-d.pdf
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG Виробник : ONSEMI ntljs17d0p03p8z-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -47A; 2.4W; WDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
Power dissipation: 2.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.