Продукція > ONSEMI > NTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBG

NTLJS2103PTBG onsemi

ntljs2103p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.30 грн
6000+15.47 грн
9000+14.72 грн
15000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS2103PTBG onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V.

Інші пропозиції NTLJS2103PTBG за ціною від 14.82 грн до 50.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : onsemi ntljs2103p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 22170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+38.84 грн
100+26.66 грн
500+19.80 грн
1000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : onsemi ntljs2103p-d.pdf MOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.43 грн
10+42.12 грн
100+25.10 грн
500+19.89 грн
1000+18.20 грн
3000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG Виробник : ON Semiconductor ntljs2103p-d.pdf
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : ON Semiconductor ntljs2103p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG Виробник : ONSEMI ntljs2103p-d.pdf NTLJS2103PTBG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.