Продукція > ONSEMI > NTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBG

NTLJS2103PTBG onsemi

ntljs2103p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS2103PTBG onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V.

Інші пропозиції NTLJS2103PTBG за ціною від 13.19 грн до 44.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : onsemi ntljs2103p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 34.41 грн
100+ 23.8 грн
500+ 18.66 грн
1000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : onsemi NTLJS2103P_D-2318971.pdf MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.83 грн
10+ 38.21 грн
100+ 23.04 грн
500+ 19.25 грн
1000+ 16.38 грн
3000+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTLJS2103PTBG Виробник : ON Semiconductor ntljs2103p-d.pdf
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : ON Semiconductor ntljs2103p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
товар відсутній