NTLJS2103PTBG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.50 грн |
| 10+ | 39.22 грн |
| 100+ | 26.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS2103PTBG onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V.
Інші пропозиції NTLJS2103PTBG за ціною від 15.38 грн до 57.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLJS2103PTBG | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025 |
на замовлення 40724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NTLJS2103PTBG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6 Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -24A Mounting: SMD Case: WDFN6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -7.7A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NTLJS2103PTBG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTLJS2103PTBG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6 Power dissipation: 3.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -24A Mounting: SMD Case: WDFN6 Drain-source voltage: -12V Drain current: -7.7A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |