Продукція > ONSEMI > NTLJS2103PTBG
NTLJS2103PTBG

NTLJS2103PTBG onsemi

ntljs2103p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS2103PTBG onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V.

Інші пропозиції NTLJS2103PTBG за ціною від 14.81 грн до 70.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : onsemi ntljs2103p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1157 pF @ 6 V
на замовлення 3360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.98 грн
10+40.27 грн
100+26.28 грн
500+19.02 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG NTLJS2103PTBG Виробник : onsemi ntljs2103p-d.pdf MOSFETs PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
на замовлення 40431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.18 грн
10+43.31 грн
100+24.64 грн
500+18.97 грн
1000+17.24 грн
3000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG Виробник : ON Semiconductor ntljs2103p-d.pdf
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.