NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.80 грн |
| 6000+ | 21.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V.
Інші пропозиції NTLJS3D0N02P8ZTAG за ціною від 22.94 грн до 103.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V |
на замовлення 7088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP |
на замовлення 15858 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.82 грн |
| 10+ | 47.35 грн |
| 100+ | 35.91 грн |
| 500+ | 27.88 грн |
| 1000+ | 24.18 грн |
| NTLJS3D0N02P8ZTAG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.94 грн |
| 10+ | 68.81 грн |
| 100+ | 40.31 грн |
| 500+ | 28.29 грн |
| 1000+ | 25.39 грн |
| 3000+ | 23.01 грн |
| 6000+ | 22.94 грн |