Продукція > ONSEMI > NTLJS3D0N02P8ZTAG
NTLJS3D0N02P8ZTAG

NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi

ntljs3d0n02p8z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.25 грн
6000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTLJS3D0N02P8ZTAG за ціною від 22.68 грн до 102.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTLJS3D0N02P8ZTAG NTLJS3D0N02P8ZTAG Виробник : onsemi ntljs3d0n02p8z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
на замовлення 7160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+57.34 грн
100+39.24 грн
500+28.77 грн
1000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAG NTLJS3D0N02P8ZTAG Виробник : onsemi NTLJS3D0N02P8Z_D-1628006.pdf MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.75 грн
10+68.03 грн
100+39.85 грн
500+27.96 грн
1000+25.10 грн
3000+22.75 грн
6000+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAG Виробник : ONSEMI ntljs3d0n02p8z-d.pdf NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAG Виробник : ON Semiconductor ntljs3d0n02p8z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.