NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.10 грн |
| 6000+ | 21.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V.
Інші пропозиції NTLJS3D0N02P8ZTAG за ціною від 21.78 грн до 98.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP |
на замовлення 15858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.74 грн |
| 10+ | 47.95 грн |
| 100+ | 36.36 грн |
| 500+ | 28.23 грн |
| 1000+ | 24.49 грн |
| NTLJS3D0N02P8ZTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 15858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.68 грн |
| 10+ | 65.33 грн |
| 100+ | 38.27 грн |
| 500+ | 26.85 грн |
| 1000+ | 24.11 грн |
| 3000+ | 21.85 грн |
| 6000+ | 21.78 грн |


