NTLJS4114NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.91 грн |
| 10+ | 57.22 грн |
| 100+ | 37.89 грн |
| 500+ | 27.77 грн |
| 1000+ | 25.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS4114NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NTLJS4114NT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLJS4114NT1G | onsemi |
MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm |
на замовлення 3663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NTLJS4114NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2733 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTLJS4114NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTLJS4114NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTLJS4114NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)