| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.13 грн |
| 10+ | 62.01 грн |
| 100+ | 36.79 грн |
| 500+ | 30.73 грн |
| 1000+ | 26.15 грн |
| 3000+ | 23.75 грн |
| 6000+ | 21.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS4114NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTLJS4114NT1G за ціною від 26.02 грн до 96.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLJS4114NT1G | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2733 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTLJS4114NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.74 грн |
| 10+ | 58.95 грн |
| 100+ | 39.03 грн |
| 500+ | 28.61 грн |
| 1000+ | 26.02 грн |
| NTLJS4114NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)