Продукція > ONSEMI > NTLJS4114NTAG

NTLJS4114NTAG onsemi


ntljs4114n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS4114NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTLJS4114NTAG за ціною від 14.33 грн до 73.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTLJS4114NTAG NTLJS4114NTAG onsemi NTLJS4114N_D-2318657.pdf MOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.81 грн
10+41.67 грн
100+25.07 грн
500+20.94 грн
1000+17.84 грн
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAG NTLJS4114NTAG onsemi ntljs4114n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+44.18 грн
100+28.87 грн
500+20.93 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAG NTLJS4114N_D-2318657.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET WDFN6 30V 7.8A
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.81 грн
10+41.67 грн
100+25.07 грн
500+20.94 грн
1000+17.84 грн
3000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAG ntljs4114n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.62 грн
10+44.18 грн
100+28.87 грн
500+20.93 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.