Продукція > ONSEMI > NTLJS4D9N03HTAG
NTLJS4D9N03HTAG

NTLJS4D9N03HTAG onsemi


Виробник: onsemi
MOSFETs T8 30V
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.70 грн
10+74.57 грн
100+42.22 грн
500+32.49 грн
1000+29.39 грн
3000+26.64 грн
6000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS4D9N03HTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTLJS4D9N03HTAG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTLJS4D9N03HTAG NTLJS4D9N03HTAG onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAG NTLJS4D9N03HTAG onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAG
NTLJS4D9N03HTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4D9N03HTAG
NTLJS4D9N03HTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.