NTLJS5D0N03CTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.24 грн |
| 9000+ | 21.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLJS5D0N03CTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA.
Інші пропозиції NTLJS5D0N03CTAG за ціною від 15.50 грн до 65.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTLJS5D0N03CTAG | onsemi |
MOSFETs T6 30V POWER CLIP 2 |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTLJS5D0N03CTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 35828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTLJS5D0N03CTAG | ONN |
|
на замовлення 2892 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTLJS5D0N03CTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
MOSFETs T6 30V POWER CLIP 2
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.39 грн |
| 10+ | 40.79 грн |
| 100+ | 24.23 грн |
| 500+ | 19.97 грн |
| 1000+ | 17.74 грн |
| 3000+ | 16.69 грн |
| 9000+ | 15.50 грн |
| NTLJS5D0N03CTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 11.2A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.38mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 35828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.99 грн |
| 10+ | 48.34 грн |
| 100+ | 32.13 грн |
| 500+ | 24.94 грн |
| 1000+ | 23.36 грн |
| NTLJS5D0N03CTAG |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


