Продукція > ONSEMI > NTLJS7D2P02P8ZTAG
NTLJS7D2P02P8ZTAG

NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi

ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTLJS7D2P02P8ZTAG за ціною від 27.21 грн до 100.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTLJS7D2P02P8ZTAG NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi ntljs7d2p02p8z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 36114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.83 грн
10+61.60 грн
100+40.80 грн
500+29.91 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG NTLJS7D2P02P8ZTAG onsemi NTLJS7D2P02P8Z-D.PDF MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ON Semiconductor ntljs7d2p02p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ON Semiconductor ntljs7d2p02p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ON Semiconductor ntljs7d2p02p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+36.58 грн
1017+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ON Semiconductor ntljs7d2p02p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+36.58 грн
1017+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
NTLJS7D2P02P8ZTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 7.9A 6PQFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 36114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.83 грн
10+61.60 грн
100+40.80 грн
500+29.91 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG NTLJS7D2P02P8Z-D.PDF
NTLJS7D2P02P8ZTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
960+36.58 грн
1017+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.1A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
960+36.58 грн
1017+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.