
NTLUD3A50PZTAG onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 98.44 грн |
10+ | 59.78 грн |
100+ | 39.66 грн |
500+ | 29.07 грн |
1000+ | 26.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLUD3A50PZTAG onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2).
Інші пропозиції NTLUD3A50PZTAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTLUD3A50PZTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTLUD3A50PZTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NTLUD3A50PZTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTLUD3A50PZTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) |
товару немає в наявності |