NTLUD3A50PZTBG ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTLUD3A50PZTBG ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2).
Інші пропозиції NTLUD3A50PZTBG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLUD3A50PZTBG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
NTLUD3A50PZTBG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) |
товару немає в наявності |