Продукція > ONSEMI > NTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G onsemi

ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.50 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMD4N03R2G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMD4N03R2G за ціною від 16.14 грн до 84.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf MOSFETs 30V 4A N-Channel
на замовлення 20444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.72 грн
10+45.47 грн
100+26.99 грн
500+21.71 грн
1000+19.17 грн
2500+17.41 грн
5000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.84 грн
10+51.39 грн
100+33.77 грн
500+24.59 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ON ntmd4n03r2-d.pdf 06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
NTMD4N03R2G
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 4A N-Channel
на замовлення 20444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.72 грн
10+45.47 грн
100+26.99 грн
500+21.71 грн
1000+19.17 грн
2500+17.41 грн
5000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
NTMD4N03R2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.84 грн
10+51.39 грн
100+33.77 грн
500+24.59 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: ON
06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.