на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMD4N03R2G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NTMD4N03R2G за ціною від 17.52 грн до 91.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMD4N03R2G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMD4N03R2G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V 4A N-Channel |
на замовлення 20444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMD4N03R2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 30588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMD4N03R2G | Виробник : ON |
06+ SOIC |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTMD4N03R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NTMD4N03R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |