Продукція > ONSEMI > NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G onsemi


ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.65 грн
5000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMD4N03R2G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NTMD4N03R2G за ціною від 19.91 грн до 95.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
10+51.76 грн
100+34.01 грн
500+24.77 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf MOSFETs 30V 4A N-Channel
на замовлення 11114 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+95.41 грн
10+43.63 грн
100+33.70 грн
500+26.12 грн
1000+25.37 грн
2500+20.97 грн
5000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.45 грн
10+51.76 грн
100+34.01 грн
500+24.77 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 4A N-Channel
на замовлення 11114 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.41 грн
10+43.63 грн
100+33.70 грн
500+26.12 грн
1000+25.37 грн
2500+20.97 грн
5000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.