Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMD4N03R2G
NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G ON Semiconductor

ntmd4n03r2-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMD4N03R2G ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NTMD4N03R2G за ціною від 14.93 грн до 63.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G Виробник : onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.02 грн
5000+ 17.35 грн
12500+ 16.06 грн
25000+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G Виробник : onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 31763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.55 грн
10+ 41.73 грн
100+ 28.92 грн
500+ 22.67 грн
1000+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G Виробник : onsemi NTMD4N03R2_D-1813928.pdf MOSFET 30V 4A N-Channel
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 571-580 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.87 грн
10+ 56.43 грн
100+ 47.67 грн
500+ 33.78 грн
1000+ 27.04 грн
2500+ 22.97 грн
5000+ 22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTMD4N03R2G Виробник : ON ntmd4n03r2-d.pdf 06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)