Продукція > ONSEMI > NTMD6N02R2G
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G onsemi

ntmd6n02r2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMD6N02R2G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 730mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMD6N02R2G за ціною від 23.78 грн до 90.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G onsemi ntmd6n02r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+54.26 грн
100+35.83 грн
500+26.18 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G onsemi NTMD6N02R2_D-2319023.pdf MOSFETs NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 7421 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G ON Semiconductor ntmd6n02r2-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G ntmd6n02r2-d.pdf
NTMD6N02R2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+54.26 грн
100+35.83 грн
500+26.18 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2_D-2319023.pdf
NTMD6N02R2G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 7421 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G ntmd6n02r2-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.