Продукція > ONSEMI > NTMD6N02R2G
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G onsemi

ntmd6n02r2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.67 грн
5000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMD6N02R2G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 730mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NTMD6N02R2G за ціною від 20.84 грн до 67.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G Виробник : onsemi ntmd6n02r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+51.99 грн
100+35.98 грн
500+28.22 грн
1000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G Виробник : onsemi NTMD6N02R2_D-2319023.pdf MOSFETs NFET 20V 0.035R TR
на замовлення 7421 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.73 грн
10+57.73 грн
100+34.79 грн
500+29.06 грн
1000+24.81 грн
2500+21.94 грн
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N02R2G Виробник : ONSEMI ntmd6n02r2-d.pdf NTMD6N02R2G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.