Продукція > ONSEMI > NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G onsemi

ntmd6p02r2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.36 грн
10+74.48 грн
100+48.44 грн
500+36.70 грн
1000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMD6P02R2G onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 750mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції NTMD6P02R2G за ціною від 26.06 грн до 127.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G Виробник : onsemi ntmd6p02r2-d.pdf MOSFETs 20V 6A P-Channel
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.71 грн
10+80.02 грн
100+46.51 грн
500+36.81 грн
1000+33.75 грн
2500+31.86 грн
5000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2G Виробник : ON-Semiconductor ntmd6p02r2-d.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G Виробник : onsemi ntmd6p02r2-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G Виробник : ONSEMI ntmd6p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.