на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMD6P02R2G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 750mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції NTMD6P02R2G за ціною від 25.44 грн до 147.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMD6P02R2G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMD6P02R2G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V 6A P-Channel |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMD6P02R2G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NTMD6P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMD6P02R2G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 750mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMD6P02R2G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |