
NTMFC013NP10M5L onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.06 грн |
10+ | 159.96 грн |
100+ | 111.67 грн |
500+ | 91.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFC013NP10M5L onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6).
Інші пропозиції NTMFC013NP10M5L за ціною від 85.70 грн до 256.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTMFC013NP10M5L | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTMFC013NP10M5L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6) |
товару немає в наявності |