
NTMFD020N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.85 грн |
10+ | 82.72 грн |
100+ | 56.89 грн |
500+ | 43.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD020N06CT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTMFD020N06CT1G за ціною від 37.87 грн до 126.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFD020N06CT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFD020N06CT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Part Status: Active |
товару немає в наявності |