
NTMFD030N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 33.66 грн |
3000+ | 29.94 грн |
4500+ | 29.85 грн |
7500+ | 27.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD030N06CT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTMFD030N06CT1G за ціною від 32.07 грн до 114.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFD030N06CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFD030N06CT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Part Status: Active |
на замовлення 11880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFD030N06CT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMFD030N06CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NTMFD030N06CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NTMFD030N06CT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |