Продукція > ONSEMI > NTMFD030N06CT1G
NTMFD030N06CT1G

NTMFD030N06CT1G onsemi

ntmfd030n06c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+32.33 грн
3000+28.76 грн
4500+27.56 грн
7500+24.59 грн
10500+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD030N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active.

Інші пропозиції NTMFD030N06CT1G за ціною від 27.56 грн до 115.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFD030N06CT1G NTMFD030N06CT1G onsemi ntmfd030n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+68.11 грн
100+45.54 грн
500+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1G NTMFD030N06CT1G onsemi ntmfd030n06c-d.pdf MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.94 грн
10+72.46 грн
100+42.01 грн
500+33.13 грн
1000+30.66 грн
1500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1G ntmfd030n06c-d.pdf
NTMFD030N06CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.80 грн
10+68.11 грн
100+45.54 грн
500+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1G ntmfd030n06c-d.pdf
NTMFD030N06CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.94 грн
10+72.46 грн
100+42.01 грн
500+33.13 грн
1000+30.66 грн
1500+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.