NTMFD030N06CT1G ON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 74.93 грн |
| 11+ | 63.51 грн |
| 100+ | 62.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD030N06CT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active.
Інші пропозиції NTMFD030N06CT1G за ціною від 27.24 грн до 103.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFD030N06CT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Part Status: Active |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFD030N06CT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET Power, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 mohm, 19 A |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFD030N06CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET Power, N Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NTMFD030N06CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFD030N06CT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 19A Pulsed drain current: 63A Power dissipation: 11W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NTMFD030N06CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFD030N06CT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 19A Pulsed drain current: 63A Power dissipation: 11W Case: DFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |