Продукція > ONSEMI > NTMFD1D1N02X
NTMFD1D1N02X

NTMFD1D1N02X onsemi

ntmfd1d1n02x-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD1D1N02X onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції NTMFD1D1N02X за ціною від 89.10 грн до 281.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFD1D1N02X NTMFD1D1N02X Виробник : onsemi ntmfd1d1n02x-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.04 грн
10+177.59 грн
100+124.74 грн
500+95.90 грн
1000+89.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02X Виробник : ON Semiconductor ntmfd1d1n02x-d.pdf MOSFET-Power Dual N-Channel Power Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD1D1N02X NTMFD1D1N02X Виробник : onsemi NTMFD1D1N02X_D-3150543.pdf MOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.