Продукція > ONSEMI > NTMFD4C20NT1G
NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G onsemi

ntmfd4c20n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD4C20NT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.09W, 1.15W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical).

Інші пропозиції NTMFD4C20NT1G за ціною від 88.79 грн до 151.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFD4C20NT1G NTMFD4C20NT1G Виробник : onsemi NTMFD4C20N_D-2319049.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.1 грн
10+ 124.38 грн
100+ 101.48 грн
250+ 98.14 грн
500+ 94.8 грн
1000+ 90.8 грн
1500+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD4C20NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfd4c20n-d.pdf
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFD4C20NT1G NTMFD4C20NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfd4c20n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
NTMFD4C20NT1G NTMFD4C20NT1G Виробник : onsemi ntmfd4c20n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товар відсутній