NTMFD4C85NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 155.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD4C85NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFD4C85NT1G за ціною від 165.44 грн до 380.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFD4C85NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) |
на замовлення 182728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMFD4C85NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMFD4C85NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTMFD4C85NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTMFD4C85NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.13W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) |
товару немає в наявності |