NTMFD4C86NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 168.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD4C86NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFD4C86NT1G за ціною від 205.44 грн до 205.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFD4C86NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 40079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NTMFD4C86NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A/23.7A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
NTMFD4C86NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||
 |
NTMFD4C86NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH |
товар відсутній |