Продукція > ONSEMI > NTMFD4C88NT1G
NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G onsemi

NTMFD4C88N.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+125.37 грн
Мінімальне замовлення: 160
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD4C88NT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6).

Інші пропозиції NTMFD4C88NT1G за ціною від 190.23 грн до 190.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFD4C88NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0001341359-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
192+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 192
NTMFD4C88NT1G NTMFD4C88NT1G Виробник : onsemi NTMFD4C88N.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C88NT1G NTMFD4C88NT1G Виробник : ON Semiconductor NTMFD4C88N-D-466770.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
товар відсутній