Продукція > ONSEMI > NTMFD5C674NLT1G
NTMFD5C674NLT1G

NTMFD5C674NLT1G onsemi

ntmfd5c674nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD5C674NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFD5C674NLT1G за ціною від 24.16 грн до 83.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G onsemi ntmfd5c674nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.13 грн
10+50.18 грн
100+33.09 грн
500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G ON Semiconductor NTMFD5C674NL_D-2318855.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G onsemi NTMFD5C674NL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G ONSEMI 2620003.pdf Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G ONSEMI 2620003.pdf Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G ON Semiconductor ntmfd5c674nl-d.pdf
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G ntmfd5c674nl-d.pdf
NTMFD5C674NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.13 грн
10+50.18 грн
100+33.09 грн
500+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NL_D-2318855.pdf
NTMFD5C674NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NL-D.PDF
NTMFD5C674NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G 2620003.pdf
NTMFD5C674NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G 2620003.pdf
NTMFD5C674NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1G ntmfd5c674nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.