NTMFD5C674NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 26.32 грн |
| 3000+ | 23.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD5C674NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFD5C674NLT1G за ціною від 27.62 грн до 97.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFD5C674NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFD5C674NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFD5C674NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
на замовлення 3731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFD5C674NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET T6 60V LL S08FL DS |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFD5C674NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET T6 60V LL S08FL DS |
на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTMFD5C674NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTMFD5C674NLT1G | Виробник : ONSEMI |
NTMFD5C674NLT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |