
NTMFD5C680NLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 44.62 грн |
500+ | 30.04 грн |
1000+ | 22.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFD5C680NLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 19W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 19W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFD5C680NLT1G за ціною від 22.37 грн до 111.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFD5C680NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 19W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 19W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFD5C680NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 11965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFD5C680NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMFD5C680NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
NTMFD5C680NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NTMFD5C680NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
товару немає в наявності |