Продукція > ONSEMI > NTMFD5C680NLT1G
NTMFD5C680NLT1G

NTMFD5C680NLT1G onsemi

ntmfd5c680nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+19.20 грн
3000+17.22 грн
4500+16.94 грн
7500+15.60 грн
10500+15.06 грн
15000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD5C680NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 19W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 19W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFD5C680NLT1G за ціною від 15.61 грн до 78.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFD5C680NLT1G NTMFD5C680NLT1G Виробник : ONSEMI 2620015.pdf Description: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.52 грн
500+31.32 грн
1000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1G NTMFD5C680NLT1G Виробник : onsemi NTMFD5C680NL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL SO8FL DUAL
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.25 грн
10+44.61 грн
100+28.00 грн
500+22.88 грн
1000+17.14 грн
1500+16.37 грн
3000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1G NTMFD5C680NLT1G Виробник : onsemi ntmfd5c680nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 35767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.97 грн
10+46.31 грн
100+30.33 грн
500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1G NTMFD5C680NLT1G Виробник : ONSEMI 2620015.pdf Description: ONSEMI - NTMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.71 грн
14+62.23 грн
100+46.52 грн
500+31.32 грн
1000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfd5c680nl-d.pdf
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfd5c680nl-d.pdf NTMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.