Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS002N10MCLT1G
NTMFS002N10MCLT1G

NTMFS002N10MCLT1G ON Semiconductor

ntmfs002n10mcl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+156.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS002N10MCLT1G ON Semiconductor

Description: PTNG 100V LL SO8FL HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMFS002N10MCLT1G за ціною від 115.37 грн до 296.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ONSEMI 3708145.pdf Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.53 грн
500+141.49 грн
1000+115.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs002n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+169.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ONSEMI 3708145.pdf Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+285.27 грн
10+200.62 грн
100+162.53 грн
500+141.49 грн
1000+115.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi ntmfs002n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.31 грн
10+194.55 грн
100+137.46 грн
500+119.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi NTMFS002N10MCL_D-2944162.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A
на замовлення 4316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.23 грн
10+216.95 грн
25+178.09 грн
100+153.18 грн
250+144.88 грн
500+135.07 грн
1000+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs002n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs002n10mcl-d.pdf NTMFS002N10MCLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi ntmfs002n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.