Продукція > ONSEMI > NTMFS002N10MCLT1G
NTMFS002N10MCLT1G

NTMFS002N10MCLT1G ONSEMI

3708145.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.48 грн
500+143.19 грн
1000+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS002N10MCLT1G ONSEMI

Description: PTNG 100V LL SO8FL HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMFS002N10MCLT1G за ціною від 102.33 грн до 300.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs002n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+171.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs002n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi ntmfs002n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.04 грн
10+191.40 грн
100+131.85 грн
500+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ONSEMI 3708145.pdf Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.70 грн
10+203.03 грн
100+164.48 грн
500+143.19 грн
1000+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi NTMFS002N10MCL-D.PDF MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.25 грн
10+213.41 грн
100+112.26 грн
500+110.73 грн
1000+102.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs002n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G NTMFS002N10MCLT1G Виробник : onsemi ntmfs002n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002N10MCLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs002n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 175A; Idm: 1536A; 94W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 175A
Pulsed drain current: 1536A
Power dissipation: 94W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.